مطالعۀ وابستگی دمایی بلور فوتونی سه گانه دی الکتریک- بلورمایع- دی الکتریک در یک بعد با ضخامت های مختلف
Authors
abstract
در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دی الکتریک و با دو بلورمایع و به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه بر افزایش پهنا به سمت طول موج های کوتاه تر پیش می رود.
similar resources
مطالعۀ وابستگی دمایی بلور فوتونی سه‌گانه دیالکتریک- بلورمایع- دیالکتریک در یک بعد با ضخامت‌های مختلف
در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دیالکتریک و با دو بلورمایع و به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می‌دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می‌یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه...
full textخواص مدهای نقص بلور فوتونی نانولایه دی الکتریک-فلز سه تایی در یک بعد
در این پایان نامه خواص مدهای نقص در ساختارهای متناوب با سه لایه دی الکتریک- فلز- دی-الکتریک در حالت متقارن و نامتقارن بررسی شده است. سپس ویژگی های آن با بلور فوتونی دی-الکتریک-فلز دو لایه در یک بعد مقایسه شده است. همچنین بازتاب را بر حسب طول موج بررسی کرده و وابستگی آن را با تغییر تعداد سلولهای چپ و راست لایه نقص و تغییر زاویه برای امواج te و tm در دو حالت متقارن و نامتقارن هم برای بلور فوتونی ...
15 صفحه اولتحلیل و شبیه سازی لنز چندلایه ی عرضی دی الکتریک
روش¬های متعددی برای افزایش بهره¬ی آنتن وجود دارد. این روش ها با استفاده از، آرایه¬ای کردن آنتن و یا با تغییر در ابعاد آنتن صورت گرفته است. استفاده از لنز، روشی دیگر جهت افزایش بهره¬ی آنتن می باشد. لنز ها دارای انواع بسیار متنوعی می باشند. لنزی که در این مقاله مورد بررسی و طراحی قرار می گیرد، از نوع لنزهای مسطح است که ضریب دی الکتریک آن در راستای عرضی به صورت چند لایه¬ای می باشد. شبیه سازی این س...
full textخواص اپتیکی بلور فوتونیکی دی الکتریک تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک ( خانم سمیه داودی۱، خانم مریم قشلاقی۲)
در این مقاله به بررسی رفتار بلور فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دیالکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایهها به صورت glass/(mgf2-ge)n/air پرداخته شده است. شبیهسازی این بلور انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیهسازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش زاویه ...
full textخواص اپتیکی کریستال فوتونیکی دی الکتریک تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک (سمیه داودی1، مریم قشلاقی)
در این مقاله به بررسی رفتار کریستال فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه ها به صورت Glass/(MgF2-Ge)N/Air پرداخته شده است. شبیه سازی این کریستال انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش ...
full textبررسی و محاسبۀ نیروی کازیمیر بین سطوحِ زبرِ دی الکتریک
هدف ما در این پژوهش، بررسی نیروی کازیمیر بر روی سطوحِ دی الکتریکِ زبر است. در این بررسی، پس از شبیه سازی سطحِ یک دی الکتریک با مدلِ رشد MBE و مدلِ گسستۀ داس- سارما در فضای دو بعدی، مشخّصاتِ سطح را به دست آورده با استفاده از آن نیروی کازیمیر بین یک سطحِ زبر و یک سطحِ صاف را از رابطۀ لیفشیتز- با تقریب برای فواصل کم- به دست آوردیم. در آخر برای یک حالتِ خاص، نیروی کازیمیرِ دافعه را برای دو سطح بر حسبِ فاصله مح...
full textMy Resources
Save resource for easier access later
Journal title:
اپتوالکترونیک نظری و کاربردیجلد ۱، شماره ۱، صفحات ۲۹-۳۴
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023